フォトマスク、パターン形成方法、半導体集積回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：金田暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-002582
公開番号（公開出願番号）：特開2001-194769
出願日： 2000年01月11日
公開日（公表日）： 2001年07月19日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】処理対象の表面に塗布したレジストをパターニングして複数の開口孔を形成し、このレジストを加熱して開口孔を縮小させても良好な形状となるようにする。【解決手段】本発明のフォトマスクは、複数の露光開口が形成されているフォトマスクを用意し、半導体集積回路の層膜などの処理対象の表面にレジストを塗布し、このレジストを前記フォトマスクによる露光処理でパターニングして複数の前記露光開口に対応した複数の開口孔を形成し、このパターニングされたレジストを加熱して複数の前記開口孔を各々縮小させるサーマルフロープロセスにおける前記フォトマスクであって、複数の前記露光開口の少なくとも一部が前記レジストの開口孔の前記加熱による異方性の変形と相反する形状に形成しておく。

請求項（抜粋）：

複数の露光開口が形成されているフォトマスクを用意し、半導体集積回路の層膜などの処理対象の表面にレジストを塗布し、このレジストを前記フォトマスクによる露光処理でパターニングして複数の前記露光開口に対応した複数の開口孔を形成し、このパターニングされたレジストを加熱して複数の前記開口孔を各々縮小させるサーマルフロープロセスにおける前記フォトマスクであって、複数の前記露光開口の少なくとも一部が前記レジストの開口孔の前記加熱による異方性の変形と相反する形状に形成されているフォトマスク。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/28 , H01L 21/027

FI (7件)：

G03F 1/08 D , G03F 1/08 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/28 L , H01L 21/28 D , H01L 21/30 502 P , H01L 21/30 570

Fターム (11件)：

2H095BA02 , 2H095BB02 , 2H095BB27 , 2H095BB36 , 4M104DD06 , 4M104DD62 , 4M104GG16 , 4M104HH14 , 5F046AA26 , 5F046CB17 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平4-355448
特開平4-143765
特開昭61-166130

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