レジストパターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-014064
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213603
出願日： 1996年01月30日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】本発明は、レジストパターンを形成する上で、レジストを膨潤させることによってパターンの微細化を行うことを目的としている。【解決手段】レジストパターンを基板上に形成する方法において、基板上にレジストを塗布する工程と、レジストを露光する工程と、レジストを現像する工程と、レジストを有機アミンと結合させる工程とを有する。本発明によれば、レジスト形状劣化を起こすことなく、またパターン密度に依存しないように、パターンの微細化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上にレジストを塗布する工程と、レジストを露光する工程と、レジストを現像する工程と、レジストを有機アミンと結合させる工程とを有するレジストパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 505 , G03F 7/40

FI (3件)：

H01L 21/30 570 , G03F 7/20 505 , G03F 7/40

引用特許：

審査官引用 (1件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-041580 出願人：株式会社日立製作所

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