成膜方法、炭素膜、電子部品および電子機器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：増田達哉 , 朝比一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-028383
公開番号（公開出願番号）：特開2005-219954
出願日： 2004年02月04日
公開日（公表日）： 2005年08月18日
要約：

【課題】容易かつ安価に所定パターンで炭素膜を形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された炭素膜、この炭素膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の成膜方法は、基材上に触媒を含有する液体を供給して触媒層を形成し、該触媒層上に、主として繊維状炭素系物質で構成される炭素膜を所定パターンで形成する成膜方法であり、少なくとも炭素膜を形成する側の面に前記液体に対して撥液性を有する基材の、炭素膜を形成する膜形成領域に、所定の処理を施し、前記液体に対する膜形成領域の撥液性を、炭素膜を形成しない非膜形成領域の撥液性より低くする第1の工程と、基材に触媒を含有する液体を供給し、膜形成領域と非膜形成領域との撥液性の違いを利用して、膜形成領域に選択的に触媒層を形成する第2の工程と、触媒層上に、触媒機能を利用して炭素膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする。【選択図】無し

請求項（抜粋）：

基材上に触媒を含有する液体を供給して触媒層を形成し、該触媒層上に、主として繊維状炭素系物質で構成される炭素膜を所定パターンで形成する成膜方法であって、少なくとも前記炭素膜を形成する側の面に前記液体に対して撥液性を有する前記基材の、前記炭素膜を形成する膜形成領域に、所定の処理を施し、前記液体に対する前記膜形成領域の撥液性を、前記炭素膜を形成しない非膜形成領域の撥液性より低くする第1の工程と、前記基材の前記面に前記触媒を含有する液体を供給し、前記膜形成領域と前記非膜形成領域との撥液性の違いを利用して、前記膜形成領域に選択的に触媒層を形成する第2の工程と、前記触媒層上に、該触媒層の触媒機能を利用して前記炭素膜を形成する第3の工程とを有することを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

C01B31/02 , B01J37/02 , C23C16/04 , C23C16/26

FI (4件)：

C01B31/02 101F , B01J37/02 301M , C23C16/04 , C23C16/26

Fターム (42件)：

4G069AA08 , 4G069BB08A , 4G069BC31A , 4G069BC67A , 4G069BC68A , 4G069BC72A , 4G069BC75A , 4G069BD05A , 4G069BD15A , 4G069BE32A , 4G069CD10 , 4G069EA08 , 4G069FA05 , 4G069FB17 , 4G146AA11 , 4G146AB07 , 4G146AD29 , 4G146BB22 , 4G146BB23 , 4G146BC09 , 4G146BC42 , 4G146BC43 , 4G146BC44 , 4G169AA08 , 4G169BB08A , 4G169BC31A , 4G169BC67A , 4G169BC68A , 4G169BC72A , 4G169BC75A , 4G169BD05A , 4G169BD15A , 4G169BE32A , 4G169CD10 , 4G169EA08 , 4G169FA05 , 4G169FB17 , 4K030BA27 , 4K030BB01 , 4K030BB14 , 4K030LA01 , 4K030LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

カーボンナノチューブ作製用触媒パターン
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-135590 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 理化学研究所, 吾郷浩樹, 湯村守雄

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