特許

J-GLOBAL ID：200903065059765248

フォトダイオードを有するイメージセンサ及びその製造方法

発明者： 金 利 泰
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-032897
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282858
出願日： 2003年02月10日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】 フォトダイオードの電子収容能力を改善すると同時に、フォトダイオードの感度特性及び接合漏れ特性を改善できるフォトダイオードを有するイメージセンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板100の選択された領域にボロンフォトダイオード領域135が形成され、このボロンフォトダイオード領域135の界面と接するようにボロンフォトダイオード領域135の下部にAsフォトダイオード領域145が形成される。さらに、前記Asフォトダイオード領域145を取囲むようにPフォトダイオード領域155が形成される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、この半導体基板の選択された領域に形成されるP型フォトダイオード領域と、このP型フォトダイオード領域の界面と接するように、P型フォトダイオード領域の下部に形成される第1N型フォトダイオード領域と、この第1N型フォトダイオード領域を取囲むように形成される第2N型フォトダイオード領域とを含み、前記第1N型フォトダイオード領域を構成する不純物は前記第2N型フォトダイオード領域を構成する不純物より投影飛程及び拡散度が小さいことを特徴とするフォトダイオードを有するイメージセンサ。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (27件)：

4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118EA01 ,  4M118EA07 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FA42 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5F049MA02 ,  5F049MB02 ,  5F049MB12 ,  5F049NA01 ,  5F049NA05 ,  5F049NA12 ,  5F049NA16 ,  5F049NB03 ,  5F049PA10 ,  5F049QA04 ,  5F049QA20 ,  5F049SS03

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 大韓民国特許公開公報2001-4105号
  

審査官引用 (4件)

• 固体撮像素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-296877   出願人：日本電気株式会社
• 特開平4-355964
  
• イメ-ジセンサのピンドフォトダイオ-ド及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-182384   出願人：現代電子産業株式会社
• 特開平4-017368