化学気相成長法および位相シフトマスクブランクの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村静男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330799
公開番号（公開出願番号）：特開平7-188930
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】有機物やOH基の含量の少ない無機系薄膜を低基板温度下においても形成することができる化学気相成長法(プラズマCVD法)と、それを利用した位相シフトマスクブランクの製造法。【構成】基材4を第2電極3に接続するとともに、反応室内の圧力を0.05〜0.4Torr、プラズマを生成させるための高周波電力の電力密度を0.2〜3W/cm2に選定し、かつ原料ガス中に酸素および/または窒素からなるガスを含有させる、接地された第1電極2と、高周波電力が印加させる第2電極3とを互いに対向配置させた状態で収納した減圧下の反応室に所定の原料ガスを導入し、この原料ガスを電極2と3の間でプラズマ化させつつ、前記反応室内に配置した基材4上に無機系薄膜を形成する化学気相成長法。

請求項（抜粋）：

接地された第1電極と、高周波電力が印加される第2電極とを互いに対向配置させた状態で収納した減圧下の反応室に所定の原料ガスを導入し、この原料ガスを前記第1電極と前記第2電極との間でプラズマ化させつつ、前記反応室内に配置した基材上に無機系薄膜を形成する化学気相成長法において、前記基材を前記第2電極に接続するとともに、前記反応室内の圧力を0.05〜0.4Torr、プラズマを生成させるための高周波電力の電力密度を0.2〜3W/cm2 にそれぞれ選定し、かつ、前記原料ガス中に酸素および/または窒素からなるガスを含有させることを特徴とする化学気相成長法。

IPC (6件)：

C23C 16/50 , B01J 19/08 , C23C 16/40 , G03F 1/08 , H01L 21/31 , H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (3件)

基板処理装置および基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-051646 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-197329
特開昭63-197329

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