特許
J-GLOBAL ID：200903065092295265
配線板の製造方法及び配線板、ならびに半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-289550
公開番号（公開出願番号）：特開2004-128177
出願日： 2002年10月02日
公開日（公表日）： 2004年04月22日
要約：
【課題】絶縁基板の表裏に設けられた第1配線と第2配線がブラインドビアで接続されている配線板の生産性を向上させる。【解決手段】配線接続導体形成工程は、第2導体膜を電極(陰極)とした電気めっきにより、ブラインドビアホール内に、絶縁基板1の厚さよりも薄い第1めっき3Aを形成する第1めっき形成工程と、第1導体膜、あるいは前記第1導体膜及び前記第2導体膜を電極(陰極)とした電気めっきにより、前記第1導体膜及び前記第1めっき上に第2めっき3Bを形成する第2めっき形成工程とを備え、前記第1めっき形成工程は、電気めっきの電流密度を、前記第2めっき形成工程の電気めっきの電流密度よりも高くして行う配線板の製造方法である。【効果】十分大きい電流密度で電気めっきできるので生産性が向上する。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
絶縁基板の第1主面に第1導体膜を接着し、前記絶縁基板の第1主面の裏面(第2主面)に第2導体膜を接着するとともに、前記第1導体膜及び前記絶縁基板を貫通して前記第2導体膜に達する開口部(以下、ブラインドビアホールと称する)を形成するブラインドビアホール形成工程と、前記ブラインドビアホール内および前記第1導体膜の表面に配線接続導体を形成して前記第1導体膜と前記第2導体膜を電気的に接続する配線接続導体形成工程と、前記第1導体膜及び前記配線接続導体の不要な部分を除去して第1配線を形成し、前記第2導体膜の不要な部分を除去して第2配線を形成する配線形成工程とを備える配線板の製造方法であって、
前記配線接続導体形成工程は、
前記第2導体膜を電極(陰極)とした電気めっきにより、前記ブラインドビアホール内に、前記絶縁基板の厚さよりも薄い第1めっきを形成する第1めっき形成工程と、
前記第1導体膜、あるいは前記第1導体膜及び前記第2導体膜を電極(陰極)とした電気めっきにより、前記第1導体膜及び前記第1めっき上に第2めっきを形成する第2めっき形成工程とを備え、
前記第1めっき形成工程は、電気めっきの電流密度を、前記第2めっき形成工程の電気めっきの電流密度よりも高くして行うことを特徴とする配線板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L23/12
, H01L21/60
, H05K3/42
H01L23/12 501B
, H01L21/60 311W
, H05K3/42 610B
, H05K3/42 620A
5E317AA24
, 5E317BB03
, 5E317BB12
, 5E317BB13
, 5E317BB18
, 5E317CC25
, 5E317CC32
, 5E317CC33
, 5E317CC38
, 5E317CC44
, 5E317CD25
, 5E317GG17
, 5F044MM04
, 5F044MM48
