特許
J-GLOBAL ID：200903065095091512
半導体装置及びその製造方法と電子回路装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-271696
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130954
出願日： 1993年10月29日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の上部に開発過程で生ずる発振、ノイズ、タイミング、波形の歪、等の特性不良対策用の抵抗、コンデンサ、コイル、トランス等を必要に応じて生成して回路修正を行い開発期間を短縮する。さらに、修正部上に保護膜を形成して製品レベルの信頼度を得る。【構成】 集束イオンビーム加工により半導体装置の内部配線を露出後、集束イオンビーム加工、レーザCVD、液状材料の微量付着・固化等を用いて抵抗体、コンデンサ、コイル、トランス等の素子を単体あるいは組み合わせて付加形成し半導体装置の特性不良を修正する。さらに、レーザCVDあるいは液状材料の微量付着・固化により少なくとも上記素子を含む領域に保護膜を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体装置において、半導体装置の表面に、内部配線の露出部と、レーザCVD法により生成した導電性膜、絶縁性膜、および/または導電性液状材料および/または絶縁性液状材料の付着・固化により生成した導電性膜、絶縁性膜等を用いた抵抗体、コンデンサ、コイル、トランス等の素子を設け、該素子および/または該素子の組み合わせ回路を該内部配線の露出部に接続したことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/82
H01L 27/04 V
, H01L 21/82 Z
