異物または欠陥検査装置、および、異物または欠陥検査方法

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小川勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-076357
公開番号（公開出願番号）：特開2001-264264
出願日： 2000年03月14日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
要約：

【要約】半導体ウェハや薄膜基板の製造過程の検査や不良解析をおこなうにあたり、迅速な不良対策をおこなえるようにする。【解決手段】光学的系により検査する異物または欠陥検査装置において、その結果において、異物または欠陥の大きさと不良原因を関連させて、データ処理手段で、検査の結果の統計から不良原因を指摘し、前記検査の結果情報を表示する。また、半導体ウェハなどの領域別に不良となるしきい値を設け、異物を統計的に評価することにより、不良解析をおこなう。

請求項（抜粋）：

被検査対象物を光学的手法によって測定し、異物や欠陥を検出する異物または欠陥検査装置において、前記被検査対象物に光を照射する照明手段と、前記被検査対象物からの反射光または散乱光を検出する光検出手段と、その光検出手段によって検出された信号に基づいて、異物または欠陥を検出する検出手段と、その光検出手段によって検出された信号に基づいて、信号処理をし、異物または欠陥の大きさを測定する寸法測定手段と、検査の結果を処理するデータ処理手段と、検査の結果情報を表示する手段とを備え、異物または欠陥の大きさと不良原因を関連させて、前記データ処理手段で、検査の結果の統計処理から不良原因を指摘し、前記検査の結果情報を表示する手段に表示することを特徴とする異物または欠陥検査装置。

IPC (6件)：

G01N 21/956 , G01B 11/00 , G01B 11/02 , G01B 11/24 , G01B 11/30 , H01L 21/66

FI (6件)：

G01N 21/956 A , G01B 11/00 B , G01B 11/02 H , G01B 11/30 A , H01L 21/66 J , G01B 11/24 K

Fターム (76件)：

2F065AA06 , 2F065AA19 , 2F065BB01 , 2F065CC19 , 2F065DD06 , 2F065EE00 , 2F065FF09 , 2F065FF42 , 2F065FF61 , 2F065GG03 , 2F065GG05 , 2F065GG06 , 2F065GG22 , 2F065GG24 , 2F065HH12 , 2F065HH16 , 2F065JJ01 , 2F065JJ03 , 2F065JJ08 , 2F065JJ09 , 2F065JJ16 , 2F065JJ17 , 2F065JJ26 , 2F065LL04 , 2F065LL08 , 2F065LL09 , 2F065LL21 , 2F065LL33 , 2F065NN20 , 2F065PP12 , 2F065QQ00 , 2F065QQ02 , 2F065QQ05 , 2F065QQ14 , 2F065QQ21 , 2F065QQ23 , 2F065QQ25 , 2F065QQ26 , 2F065QQ27 , 2F065QQ28 , 2F065QQ42 , 2F065QQ43 , 2F065RR05 , 2F065RR06 , 2F065SS01 , 2F065SS13 , 2F065TT08 , 2G051AA51 , 2G051AB01 , 2G051BA10 , 2G051CA02 , 2G051CA03 , 2G051CA04 , 2G051CB05 , 2G051CC07 , 2G051DA07 , 2G051DA08 , 2G051EA12 , 2G051EA14 , 2G051EA16 , 2G051EB09 , 2G051EC02 , 2G051FA02 , 4M106AA01 , 4M106CA27 , 4M106CA42 , 4M106CA43 , 4M106CB19 , 4M106DA15 , 4M106DB02 , 4M106DB08 , 4M106DB19 , 4M106DB21 , 4M106DJ20 , 4M106DJ27 , 4M106DJ38

引用特許：

審査官引用 (6件)

回路パターン検査における欠陥致命性判定方法、レビュー対象とする欠陥選択方法、およびそれらに関連する回路パターンの検査システム
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-010456 出願人：株式会社日立製作所
特開平3-125945
特開平3-125945

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