炭素系ナノ材料生成用触媒組成物、炭素系ナノ材料デバイス、電子放出素子用カソード基板及びその作製方法、並びに電子放出素子デバイス及びその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人エクシオ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-151700
公開番号（公開出願番号）：特開2007-319761
出願日： 2006年05月31日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：

【課題】ガラス基板の上に炭素系ナノ材料を低温で生成させるための触媒組成物、この触媒組成物を用いて生成させた炭素系ナノ材料を備えたカソード基板及びその作製方法、並びにこのカソード基板を用いた電子放出素子デバイス及びその作製方法の提供。【解決手段】Fe、Ni及びCoから選ばれた少なくとも1種類の金属又はこれらの合金であって触媒として機能する第1金属と、Cr、Mo、W、Nb、Ta及びVから選ばれた少なくとも1種類の金属又はこれらの合金である第2金属と、窒素又は窒素化合物とを含む触媒組成物。この触媒組成物を用いて生成した炭素系ナノ材料を備えたカソード基板及びこの基板を用いた炭素系ナノ材料デバイス。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

Fe、Ni及びCoから選ばれた少なくとも1種類の金属又はこれら金属の少なくとも2種類からなる合金であって触媒として機能する第1金属と、第2金属と、窒素又は窒素化合物とを含むことを特徴とする炭素系ナノ材料生成用触媒組成物。

IPC (5件)：

B01J 23/86 , H01J 1/304 , H01J 9/02 , B01J 23/88 , C01B 31/02

FI (5件)：

B01J23/86 M , H01J1/30 F , H01J9/02 B , B01J23/88 M , C01B31/02 101F

Fターム (59件)：

4G146AA02 , 4G146AA11 , 4G146AD29 , 4G146BA08 , 4G146BA48 , 4G146BC09 , 4G146BC25 , 4G146BC32A , 4G146BC33A , 4G146BC33B , 4G146BC44 , 4G169AA03 , 4G169AA08 , 4G169BA14B , 4G169BA17 , 4G169BB02A , 4G169BB02B , 4G169BB11A , 4G169BC50B , 4G169BC54A , 4G169BC55A , 4G169BC56A , 4G169BC58A , 4G169BC58B , 4G169BC59A , 4G169BC59B , 4G169BC60A , 4G169BC66A , 4G169BC66B , 4G169BC67A , 4G169BC68A , 4G169BC68B , 4G169BD06A , 4G169BD06B , 4G169CB81 , 4G169EA08 , 4G169EB15X , 4G169FA02 , 5C127AA01 , 5C127AA20 , 5C127BA09 , 5C127BA13 , 5C127BA15 , 5C127BB07 , 5C127BB08 , 5C127CC03 , 5C127DD07 , 5C127DD12 , 5C127DD57 , 5C127DD62 , 5C127DD69 , 5C127EE15 , 5C135AA09 , 5C135AA13 , 5C135AA15 , 5C135AB07 , 5C135AB08 , 5C135AC01 , 5C135HH15

引用特許：

出願人引用 (2件)

特許第3363759号公報(特許請求の範囲等)
ナノスケール導体アセンブリとその製造方法、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、及びディスプレイ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-216032 出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

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