特許

J-GLOBAL ID：200903057055917520

ナノスケール導体アセンブリとその製造方法、電界放出装置、マイクロ波真空管増幅器、及びディスプレイ装置

発明者： クン ムーン チョイ ,  スンゴ ジン ,  グレゴリー ピー.コチャンスキー ,  ウィ チュー
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-216032
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057146
出願日： 2000年07月17日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 ナノ導体の電子放出特性を活用した電界放出装置を提供する。【解決手段】 ナノ導体を、一般的には、もつれた状態の、方向が一定しない、高アスペクト比の針金又は繊維の集合体30の状態で基板11上に堆積する。もつれた状態の集合体30は、電界放出中膜表面に垂直に加わる外部電界に晒される。構造物内の緩いナノ導体端10は、立ち上がり、電力線に沿って自己整列する傾向があるため、電界に晒された、整列したナノ導体端10が得られる。集合体30の一定しない、かつ、もつれた性質の故に、その密度は十分に低く、d/h>0.1の基準に合致する。同じ高さを持つ整列したナノ管端を作り出すために、高温のブレードやスペーサを使用して又はレーザビームを使用して端部を随意にトリミングすることにより、更に放出特性を最適化する。

請求項（抜粋）：

基板とこの基板に取り付けられた複数のナノスケール導体とを有し、前記ナノスケール導体が、基板表面から先端部まで伸び、1.0-100nmの範囲の直径と0.5-100μmの範囲の長さを持つ、ナノスケール導体アセンブリにおいて、隣接する前記ナノスケール導体の間の平均分離距離は、基板表面上の平均導体高さの少なくとも0.1倍であることを特徴とするナノスケール導体アセンブリ。

IPC (6件)：

H01J 1/304 ,  B82B 1/00 ,  H01J 9/02 ,  H01J 23/06 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12

FI (6件)：

H01J 1/30 F ,  B82B 1/00 ,  H01J 9/02 B ,  H01J 23/06 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C

引用特許：

審査官引用 (2件)

• カーボンナノチューブデバイスおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-305512   出願人：キヤノン株式会社
• カーボンナノチューブの製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-161292   出願人：キヤノン株式会社