特許
J-GLOBAL ID：200903065128928375
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
藤村 元彦
, 永岡 重幸
, 高野 信司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-111087
公開番号（公開出願番号）：特開2009-266862
出願日： 2008年04月22日
公開日（公表日）： 2009年11月12日
要約：
【課題】W-CSPの如きパッケージサイズが半導体チップと略同一の半導体装置において、より広い捺印エリアを確保することができる半導体装置の構成を提供することを目的とする。【解決手段】半導体基板には、その裏面から表面電極に達する複数の貫通電極と、半導体基板の裏面に形成され貫通電極に接続する裏面配線網と、裏面配線網を覆う絶縁膜と、を有する。半導体基板の裏面には捺印マークを有する捺印エリアが設けられている。捺印エリアは、その外縁が捺印マーク形成面の面方向において裏面配線網から離間し、且つ半導体基板の周縁部に配置されている。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
矩形状の半導体基板と、前記半導体基板の表面に形成された複数の表面電極と、前記半導体基板の内部において前記半導体基板の裏面から前記表面電極の各々に達する複数の貫通孔と、前記貫通孔の各々の内壁を覆う導電体と、前記半導体基板の裏面に設けられて前記導電体に接続された裏面配線網と、前記裏面配線網を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された捺印マークを有する捺印エリアと、を含む半導体装置であって、
前記捺印エリアの外縁が前記捺印マーク形成面に平行な方向において前記裏面配線網から離間し、且つ前記半導体基板の外縁に一致していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L23/00 A
, H01L27/14 D
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118BA14
, 4M118EA01
, 4M118EA05
, 4M118FA06
, 4M118GD04
, 4M118HA02
, 4M118HA30
, 4M118HA31
, 4M118HA33
