特許
J-GLOBAL ID：200903065132973571
レジストパターン・ライン幅の算出方法、マスクパターン・ライン幅の補正方法、光近接効果補正方法、露光用マスクの作製方法、露光用マスクを作製するための電子線描画方法、露光方法、及び、半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-348211
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156864
出願日： 2004年12月01日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】光近接効果補正のためのマスクパターン・ライン幅を算出する前提となるレジストパターン・ライン幅を算出する方法を提供する。【解決手段】レジストパターン・ライン幅の算出方法は、(A)露光用マスクにおける、ラインピッチPm、マスクパターン・ライン幅ML(m,n)を有するマスクパターンを、基体上に形成されたレジスト材料層に転写して、レジストパターンにおけるレジストパターン・ライン幅RL(m,n)を求め、(B)マスクパターン・ライン幅を独立変数、レジストパターン・ライン幅を従属変数とした、M本のレジストパターン・ライン幅曲線を得た後、(C)所望のラインピッチPi及びマスクパターン・ライン幅ML(i,j)において、レジストパターン・ライン幅関数DRiにマスクパターン・ライン幅ML(i,j)を代入することで、レジストパターン・ライン幅計算値CRL(i,j)を求める工程から成る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)露光用マスクにおける、ラインピッチPm(ここで、m=1,2,3・・・,M)、マスクパターン・ライン幅ML(m,n)(ここで、n=1,2,3・・・,N)を有するマスクパターンを、基体上に形成されたレジスト材料層に転写して、レジストパターンにおけるレジストパターン・ライン幅RL(m,n)を求め、
(B)ラインピッチPmを固定したときの、マスクパターン・ライン幅ML(m,n)とレジストパターン・ライン幅RL(m,n)との関係に基づき、マスクパターン・ライン幅を独立変数、レジストパターン・ライン幅を従属変数とした、第m番目のレジストパターン・ライン幅関数DRmを求めるといった操作を、m=1からn=Mまで、M回、行い、M本のレジストパターン・ライン幅関数を得た後、
(C)所望のラインピッチPi(但し、iは1乃至Mのいずれか一の整数)及びマスクパターン・ライン幅ML(i,j)(但し、jは1乃至Nのいずれか一の整数)において、レジストパターン・ライン幅関数DRiにマスクパターン・ライン幅ML(i,j)を代入することで、レジストパターン・ライン幅計算値CRL(i,j)を求める、
工程から成ることを特徴とするレジストパターン・ライン幅の算出方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 1/08
, G03F 7/20
H01L21/30 502Z
, G03F1/08 A
, G03F7/20 501
2H095BB02
, 2H095BB36
, 2H097LA10
, 5F046AA25
, 5F046AA28
, 5F046DB04
, 5F046DB11
, 5F046DB14
