特許
J-GLOBAL ID：200903065140897922

薄膜の製造方法、薄膜が形成された回転楕円体、及びこれを用いた電球と薄膜形成装置。

発明者：
小俣 雄二

小俣 雄二 について

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橋本 尚隆

橋本 尚隆 について

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横山 政秀

横山 政秀 について

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末光 敏行

末光 敏行 について

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北井 崇博

北井 崇博 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について

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松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102442
公開番号（公開出願番号）：特開2000-294200
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 各種蒸着法やスパッタリング法による成膜方法のように特定方向からのみ成膜粒子が飛来する成膜方法を用いても、回転楕円体形状を含む被着体基板上に均一な膜厚の薄膜を形成できる薄膜の形成方法を提供する。【解決手段】 成膜源から一定方向に飛来する成膜粒子の中で、回転楕円体形状を含む基板上に薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、基板を回転楕円体形状の回転軸を中心として一定角速度で回転させるスピン運動を行うと同時に、回転軸上の回転楕円体形状の2焦点間の中点付近を中心として、基板を同一面内において一定周期で回転振動させるスウィング運動を行いながら基板上に薄膜を形成する。このことにより、回転楕円体形状を含む基板であっても、基板の外周方向及びスピン運動の回転軸方向において均一な薄膜を形成することができる。
請求項（抜粋）：
基板側からみて特定方向にある成膜源から飛来する成膜粒子の中で、回転楕円体形状を含む前記基板上に薄膜を形成する薄膜の製造方法であって、前記基板を前記回転楕円体形状の回転軸を中心として一定角速度で回転させるスピン運動を行うと同時に、前記回転軸上の前記回転楕円体形状の2焦点間の中点付近を中心として、前記基板を同一面内において一定周期で回転振動させるスウィング運動を行いながら前記基板上に薄膜を形成することを特徴とする薄膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01K 1/32 ,  C23C 14/50 ,  H01J 9/20 ,  H01K 3/00
FI (4件)：
H01K 1/32 B ,  C23C 14/50 K ,  H01J 9/20 B ,  H01K 3/00 B
Fターム (10件)：
4K029AA21 ,  4K029BA46 ,  4K029BC08 ,  4K029BD00 ,  4K029BD09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC35 ,  4K029JA08 ,  5C028BB03 ,  5C028BB04
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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