特許

J-GLOBAL ID：200903065149758437

オーバーレイキー、これの形成方法、及びこれを用いるオーバーレイ精度の測定方法

発明者： 柳 到烈
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 服部 雅紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-258479
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103928
出願日： 2006年09月25日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：

【課題】半導体基板上に形成された第1薄膜と第2薄膜との間のオーバーレイ精度を測定するためのオーバーレイキーを提供する。【解決手段】第1薄膜には第1方向に伸びる第1パターンを含み第1ピッチを有する第1マーク110が形成され、第2薄膜上には第1マークと隣接して第1方向に伸びる第2パターンを含み第1ピッチと実質的に同一の第2ピッチを有する第2マーク120が形成される。オーバーレイ精度は第1マーク110及び第2マーク120から第1イメージ及び第2イメージを取得し、第1イメージ及び第2イメージ上に第3ピッチを有するテストイメージを重ねることで形成された第1緩衝縞及び第2干渉縞の位置情報を用いて算出される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上の第1薄膜と第2薄膜との間のオーバーレイ精度を測定するためのオーバーレイキーにおいて、 前記第1薄膜に形成され、第1方向に伸び第1ピッチを有する第1パターンを含む第1マークと、 前記第1マークに隣接するように前記第2薄膜上に形成され、前記第1方向と実質的に同一の方向に伸び、前記第1ピッチと実質的に同一の第2ピッチを有する第2パターンを含む第2マークと、 を備えることを特徴とするオーバーレイキー。

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (1件)：

H01L21/30 506E

Fターム (3件)：

5F046EA03 ,  5F046EA07 ,  5F046EB07

引用特許：

出願人引用 (3件)

• パターン重ね合わせ精度測定装置および方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-038650   出願人：関西日本電気株式会社
• 韓国公開特許第2004-46854号明細書
  
• 韓国公開特許第2002-72044号明細書