特許

J-GLOBAL ID：200903065150840163

半導体装置

発明者： 浅井 市郎 ,  山田 想
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 木村 高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-161425
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032072
出願日： 1994年07月13日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】 コストの高騰を招くことなく、放熱性を良好にし、信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。【構成】 本発明の第1の特徴は、絶縁性基板1表面に形成された半導体薄膜2の一部を動作層とし、ゲート絶縁膜3と、ゲート電極5と、ソース・ドレイン電極4とを形成してなる薄膜トランジスタにおいて、前記動作層が、素子分離領域Tを介して、前記半導体薄膜に接続されていることにある。この素子分離領域は溝部または、前記半導体薄膜に不純物イオンを注入して形成された絶縁性層から構成される。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板表面に形成された半導体薄膜の一部を動作層とし、ゲート絶縁膜と、ゲート電極と、ソース・ドレイン電極とを形成してなる薄膜トランジスタにおいて、前記動作層が、素子分離領域を介して、前記半導体薄膜に接続されていることを特徴とする半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-119579
  
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-241570   出願人：シヤープ株式会社