特許
J-GLOBAL ID：200903065154227610
炭化珪素半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
小林 茂
, 和泉 良彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-247175
公開番号（公開出願番号）：特開2007-066944
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】実用上限温度をより向上することができる炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート窓6を開口したフィールド絶縁膜3が表面に形成されたSiCエピタキシャル基板1と、多結晶シリコンからなるゲート電極7との間に、ゲート窓6の底を覆うように設けられた、酸化シリコン膜10とSiN膜11とSiN熱酸化膜12の3層構造からなるONOゲート絶縁膜9が挟持され、SiCエピタキシャル基板1の近傍の酸化シリコン膜10の内部、及び酸化シリコン膜10とSiCエピタキシャル基板1との界面にNを含有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板と、多結晶シリコンからなるゲート電極との間に、前記炭化珪素基板に近い側から順に、第1の酸化シリコン膜(O)と窒化シリコン膜(N)と窒化シリコン熱酸化膜(O)からなるONO絶縁膜を挟持したゲート構造体を有する炭化珪素半導体装置において、前記第1の酸化シリコン膜は、少なくとも前記炭化珪素基板の近傍領域に窒素を含有することを特徴とする炭化珪素半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L27/04 C
, H01L29/78 652T
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 652Z
5F038AC20
, 5F038EZ02
, 5F038EZ14
, 5F038EZ15
, 5F038EZ17
, 5F038EZ20
