コンデンサ及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：谷義一 , 阿部和夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-504424
公開番号（公開出願番号）：特表2004-537847
出願日： 2002年03月26日
公開日（公表日）： 2004年12月16日
要約：

酸化膜層、誘電体材料層及び誘電体材料層の上に第2酸化膜層を有する、炭化ケイ素用のコンデンサ及び内部接続構造が提供される。酸化膜層の厚みは、酸化膜層と誘電体材料層の約0.5から約33パーセントであってよい。誘電体構造として酸窒化ケイ素層を有する炭化ケイ素用のコンデンサおよび内部接続構造もまた提供される。こうした誘電体構造は、金属層の間にあって、金属-絶縁体-金属コンデンサを提供するようにしてもよく、または、内部接続構造の金属間誘電体として使用されて、改善された平均故障寿命を有する素子および構造を提供するようにしてもよい。こうしたコンデンサ及び構造を作製する方法もまた提供される。

請求項（抜粋）：

誘電体構造を有するコンデンサであって、炭化ケイ素層と、該炭化ケイ素層上で第1の厚みを有する第1酸化膜層と、該第1酸化膜層の上で第2の厚みを有する誘電体材料層で、前記第1酸化層の誘電率より高い誘電率を有する誘電体材料層と、該誘電体材料層に面して前記第1酸化膜層の反対側に第3の厚みを有する第2酸化膜層とを備え、前記第1の厚みは、前記第1、第2及び第3の厚みの総和の約0.5〜約33%であり、前記第2の厚みは、前記第1、第2及び第3の厚みの総和の約0.5〜約33%であることを特徴とするコンデンサ。

IPC (3件)：

H01G4/33 , H01L21/822 , H01L27/04

FI (2件)：

H01G4/06 102 , H01L27/04 C

Fターム (27件)：

5E082AA20 , 5E082AB10 , 5E082BB10 , 5E082BC14 , 5E082BC40 , 5E082DD11 , 5E082EE05 , 5E082EE23 , 5E082EE37 , 5E082EE45 , 5E082FF05 , 5E082FF13 , 5E082FG03 , 5E082FG27 , 5E082FG42 , 5E082FG56 , 5E082KK08 , 5E082LL15 , 5E082PP01 , 5E082PP06 , 5E082PP09 , 5F038AC05 , 5F038AC15 , 5F038AC16 , 5F038AC17 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-370933
特開平2-001124
特開平1-099207

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