特許

J-GLOBAL ID：200903065154407499

エッチング方法及びエッチング液

発明者： 宗像 昌樹 ,  小松 洋仁 ,  公文 哲史 ,  寺本 和真 ,  合田 信弘 ,  元井 政和 ,  斉藤 範之 ,  榊原 利明 ,  石川 誠
出願人/特許権者： ソニー株式会社 ,  エスティ・エルシーディ株式会社 ,  三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-210482
公開番号（公開出願番号）：特開2004-002946
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】銀又は銀合金薄膜層のウエットエッチングに当たり、銀又は銀合金のエッチング残渣の発生を抑制すると共に、オーバーエッチングによるサイドエチングの発生を抑制し、均一なエッチングを安定して行う。【解決手段】基板表面に存在する銀又は銀合金薄膜層をエッチング液によりエッチングする方法であって、銀イオン濃度が0.005〜1重量%のエッチング液を、エッチング槽又はエッチング液供給装置に充填し、該エッチング液を、銀又は銀合金薄膜層を有する基板表面に接触させるエッチング方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

基板表面に存在する銀又は銀合金薄膜層をエッチング液によりエッチングする方法であって、銀イオン濃度が0.005〜1重量%のエッチング液を、エッチング槽又はエッチング液供給装置に充填し、該エッチング液を、銀又は銀合金薄膜層を有する基板表面に接触させることを特徴とするエッチング方法。

IPC (5件)：

C23F1/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

FI (6件)：

C23F1/30 ,  H01L21/28 E ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/308 F ,  H01L21/88 C ,  H01L21/88 M

Fターム (27件)：

4K057WA11 ,  4K057WA12 ,  4K057WB01 ,  4K057WE02 ,  4K057WE04 ,  4K057WE12 ,  4K057WG02 ,  4M104AA10 ,  4M104BB08 ,  4M104DD37 ,  4M104DD64 ,  4M104HH14 ,  4M104HH16 ,  5F033GG04 ,  5F033HH14 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ20 ,  5F033WW03 ,  5F033WW04 ,  5F033XX03 ,  5F033XX10 ,  5F043AA26 ,  5F043BB18 ,  5F043DD30 ,  5F043GG02 ,  5F043GG04

引用特許：

審査官引用 (11件)

• 特開昭64-028385
  
• 特開昭64-028385
  
• エッチング液濃度制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-256609   出願人：松下電器産業株式会社
• 導電膜パターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-215893   出願人：秋田日本電気株式会社
• 特開昭60-190581
  
• 特開昭60-190581
  
• 特開昭52-078632
  
• 特開昭52-078632
  
• 厚膜/薄膜混成の回路基板及びその再生方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-127051   出願人：株式会社日立製作所
• 銅または銅合金のエッチング方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-027776   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-048848   出願人：富士通株式会社