特許
J-GLOBAL ID：200903065176427698
マイクロ波焼成炉
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
高松 猛
, 市川 利光
, 橋本 公秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-108810
公開番号（公開出願番号）：特開2006-284155
出願日： 2005年04月05日
公開日（公表日）： 2006年10月19日
要約：
【課題】例えば焼成温度が1300°C程度の陶磁器などを焼成する焼成炉を、コストを増大させることなく、ファインセラミックス用途の焼成炉並みの高温で被処理体を焼成することができるマイクロ波焼成炉を得る。【解決手段】断熱性を有すると共にマイクロ波損失の小さい物質を主要成分とする材料で形成されたサセプタ104を有し、このサセプタ104に被処理体105を収容してマイクロ波加熱を行うとともに、被処理体温度を測定して被処理体温度制御を行い、さらに炉内温度を監視して炉内温度が陶磁器用途としての温度上限を超えた場合にはマイクロ波加熱を停止する。これにより、陶磁器用途としての焼成炉であっても、高温による損傷を受けることなく、ファインセラミックス用途の焼成炉並みの高温で被処理体105を焼成することが可能となる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
マイクロ波加熱によって被処理体の焼成を行うマイクロ波焼成炉であって、
炉内に設けられ、マイクロ波透過性の断熱材で構成されたサセプタと、
前記サセプタ内部を対象として温度を測定する温度測定手段と、
前記サセプタの外部の炉内温度を監視する監視手段と、
測定した前記被処理体の温度に基づく被処理体温度の制御、及び、前記サセプタの外部の炉内温度が所定の温度を超えた場合におけるマイクロ波加熱の停止を行う制御手段と、
を備えるマイクロ波焼成炉。
IPC (6件)：
F27D 11/12
, F27B 17/00
, F27D 19/00
, F27D 21/00
, H05B 6/74
, C04B 35/64
F27D11/12
, F27B17/00 C
, F27D19/00 A
, F27D21/00 G
, H05B6/74 A
, H05B6/74 E
, C04B35/64 F
3K090AA02
, 3K090AA04
, 3K090AB13
, 4K056AA12
, 4K056BB03
, 4K056CA10
, 4K056FA04
, 4K056FA13
, 4K056FA27
, 4K063AA06
, 4K063BA04
, 4K063BA05
, 4K063CA07
, 4K063DA32
, 4K063FA82
