半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：秋田収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349413
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189959
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】絶縁膜上の単結晶半導体層に構成されたp型MISFETにおいては、基板浮遊効果の解消を行うことができない。【解決手段】絶縁膜上の単結晶半導体装置に構成されたMISFETを有する半導体装置において、MISFETのソース/ドレイン拡散層底部に接して再結合中心として作用する結晶欠陥領域を形成する。【効果】 p型MISFET及びn型MISFETの何れに対しても基板浮遊効果の解消を行うことができる。

請求項（抜粋）：

絶縁膜上の単結晶半導体層に構成されたMISFETを有する半導体装置において、ソース、ドレイン拡散層底部と少なくとも一部領域を共有するごとく再結合中心機構を有する領域が構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/78 , G11C 11/401 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 21/8244 , H01L 27/11 , H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H03K 19/0944 , H03K 19/20

FI (7件)：

H01L 29/78 301 X , H03K 19/20 , G11C 11/34 352 Z , H01L 27/08 321 D , H01L 27/10 381 , H01L 27/10 671 C , H03K 19/094 A

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-159767
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-191654 出願人：株式会社日立製作所
特開平2-159767

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