特許
J-GLOBAL ID：200903070619465699
SOI MOS FET及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-074556
公開番号（公開出願番号）：特開平6-291142
出願日： 1993年03月31日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：
【要約】【目的】Id〜Vd特性に現われるバンプを示すKink効果を抑制し、寄生バイポーラ効果として現われるソース・ドレイン耐圧の低下を防止することができるSOI MOS FETを提供する。【構成】一導電型のSOI基板21内にソース拡散領域21c、ドレイン拡散領域21c′及び該ソース拡散領域21cとドレイン拡散領域21c′との間のチャネル領域を有するSOI MOS FETにおいて、前記ソース拡散領域21cの下に接して、前記SOI基板21内に該SOI基板と同一導電型の不純物層21bを設ける。
請求項（抜粋）：
一導電型のSOI基板内にソース拡散領域、ドレイン拡散領域及び該ソース拡散領域とドレイン拡散領域との間のチャネル領域を有するSOI MOS FETにおいて、前記ソース拡散領域の下に接して、前記SOI基板内に該SOI基板と同一導電型の不純物層を設けたことを特徴とするSOI MOS FET。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
