特許

J-GLOBAL ID：200903065210008209

半導体装置

発明者： 舘野 泰範
出願人/特許権者： 富士通カンタムデバイス株式会社 ,  富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-333990
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168099
出願日： 1997年12月04日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】 高周波で用いられるFET、HBTに関し、ゲート・ドレイン間容量Cgdを十分に低減してFETの利得の増大を図る。【解決手段】 出力信号として電流が出入する第1の電極103及び第2の電極105と、第1の電極103及び第2の電極105の中間位置にあって入力信号により電流を制御する第3の電極104とが一つの又はそれぞれ異なる半導体層102上に形成された半導体装置において、第2の電極105の上部に、接地電位に接続される第1の電極105と繋がるシールド電極107が形成されていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

出力信号として電流が出入する第1の電極及び第2の電極と、前記第1の電極及び前記第2の電極の中間位置にあって入力信号により前記電流を制御する第3の電極とが一つの又はそれぞれ異なる半導体層上に形成された半導体装置において、前記第2の電極の上部に、接地電位に接続される前記第1の電極と繋がるシールド電極が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 29/205 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/88 S ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及び送受信切り替え型アンテナスイッチ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-033221   出願人：沖電気工業株式会社
• 特開平2-134861
  
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-139656   出願人：ローム株式会社
• 特開昭61-171171