特許
J-GLOBAL ID：200903065222587859

透明導電積層体の製造方法

発明者：
原 寛

原 寛 について

, 
坪井 誠治

坪井 誠治 について


出願人/特許権者：
帝人株式会社

帝人株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 純博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322209
公開番号（公開出願番号）：特開2000-144379
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月26日
要約：
【要約】【課題】 高分子基板上にIn-Sn-Oを主成分とする低抵抗の透明導電膜をスパッタリングにより形成する製造方法を提供する。【解決手段】 In-Sn-Oを主成分とするターゲットを用いて、高分子基板上に透明導電膜を製膜する透明導電積層体の製造方法において、水分圧に対する酸素分圧の比が10〜1000の範囲であり、不活性ガスに対する水分圧の比が1.3×10-5〜2.5×10-4の範囲であり、かつ80°C未満の温度に保持した雰囲気中で高分子基板上に透明導電膜を形成し、ついで、酸素を含む雰囲気下において当該高分子基板のガラス転移温度を超えない温度にて熱処理することを特徴とする透明導電積層体の製造方法。
請求項（抜粋）：
In-Sn-Oを主成分とするターゲットを用いて、高分子基板上に透明導電膜を製膜する透明導電積層体の製造方法において、水分圧に対する酸素分圧の比が10〜1000の範囲であり、不活性ガスに対する水分圧の比が1.3×10-5〜2.5×10-4の範囲であり、かつ80°C未満の温度に保持した雰囲気中で高分子基板上に透明導電膜を形成し、ついで、酸素を含む雰囲気下において当該高分子基板のガラス転移温度を超えない温度にて熱処理することを特徴とする透明導電積層体の製造方法。
IPC (5件)：
C23C 14/08 ,  B32B 9/00 ,  H01B 5/14 ,  H01B 13/00 503 ,  C08J 7/04
FI (5件)：
C23C 14/08 D ,  B32B 9/00 A ,  H01B 5/14 A ,  H01B 13/00 503 B ,  C08J 7/04 D
Fターム (41件)：
4F006AA36 ,  4F006AB74 ,  4F006BA07 ,  4F006CA08 ,  4F006DA01 ,  4F006EA05 ,  4F100AA17B ,  4F100AA28B ,  4F100AA33B ,  4F100AK01A ,  4F100AK45 ,  4F100AT00A ,  4F100BA02 ,  4F100EH66 ,  4F100EJ41 ,  4F100EJ58 ,  4F100EJ59 ,  4F100EJ60 ,  4F100GB41 ,  4F100JG01 ,  4F100JG01B ,  4F100JM02B ,  4F100JN01 ,  4F100JN01B ,  4K029AA11 ,  4K029AA21 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BC03 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029EA03 ,  4K029GA01 ,  5G307FA02 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10 ,  5G323BA02 ,  5G323BB05 ,  5G323BC03
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特開平2-221365
  • 透明導電膜
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-218685   出願人：東燃株式会社
  • 特開平1-137520

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