液状不純物源材料及びこれを使用した半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-266272
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075894
出願日： 2000年09月01日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】液状不純物源を使用してN形拡散領域を良好に形成することが困難であった。【解決手段】半導体基板1上に導電型決定用不純物としてリン酸化合物と溶媒と増粘剤とを含有する不純物源溶液を塗布して液状不純物源層2を形成し、これを乾燥させる。次にリン拡散温度よりも低い温度で加熱し、しかる後、これよりも高い温度で加熱してリンを半導体基板1に拡散する。その後、弗酸で半導体基板1の表面上に残った膜を除去し、オ-ミック電極を形成する。

請求項（抜粋）：