特許
J-GLOBAL ID：200903065255778145

半導体装置

発明者：
菅原 良孝

菅原 良孝 について


出願人/特許権者：
関西電力株式会社

関西電力株式会社 について


代理人 (1件)： 東島 隆治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-306012
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044430
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 不純物濃度を低減せずにドリフト部分の電界を緩和し高耐圧で低いオン抵抗の半導体装置を実現する。【解決手段】 絶縁性の半導体基板上に形成したボディ領域とドレイン領域の間に定格電圧を印加したとき、ボディ領域とドレイン領域の間に挟まれたp型とn型の2つのドリフト領域が完全に空乏化するように両者の厚さを選定する。
請求項（抜粋）：
高抵抗のワイドギャップ半導体の基板上に形成した少なくとも1つの第1の導電型の第1のドリフト領域、前記第1のドリフト領域の上に形成した、前記第1のドリフト領域と実質的に同様の厚さと同様の不純物濃度を有する少なくとも1つの第2の導電型の第2のドリフト領域、前記第1及び第2のドリフト領域に共に接するように形成した第1の導電型の埋込領域、前記埋込領域に形成した第1の電極、前記埋込領域から所定の距離だけ離れ、前記第1及び第2のドリフト領域の少なくとも一方に接するように形成した少なくとも1つの第2の導電型のボディ領域、前記ボディ領域の一部に形成した第1の導電型の領域、前記ボディ領域及び前記第1の導電型の領域に設けた第2の電極、及び前記第1のドリフト領域及び前記ボディ領域に形成した制御電極を備え、前記第1及び第2のドリフト領域の厚さが、前記第1の電極と第2の電極間に定格電圧より低い電圧を印加したとき、前記第1及び第2のドリフト領域が実質的に完全な空乏層となるように選定されたことを特徴とするワイドギャップ半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 29/786
FI (8件)：
H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 622 ,  H01L 29/78 626 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 652 G ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 A
Fターム (14件)：
5F110AA07 ,  5F110AA13 ,  5F110BB12 ,  5F110DD01 ,  5F110DD04 ,  5F110EE22 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110HJ02 ,  5F110HL03 ,  5F110HM12
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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