特許
J-GLOBAL ID:200903065261099675
半導体装置およびその製造方法並びにこれに用いる半導体チップ接着用フィルム
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宮田 金雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-019793
公開番号(公開出願番号):特開2002-057191
出願日: 2001年01月29日
公開日(公表日): 2002年02月22日
要約:
【要約】【課題】 従来の導電粒子のみを添加した接着用フィルムでは、樹脂系接着剤の流動性が高く導電粒子を小さな電極間で補足することが困難という問題、また非導電粒子のみを添加した接着したフィルムでは、樹脂系接着剤の流動性が低く半導体チップ周側部に沿った円弧形状の接合層が形成されない問題、がそれぞれあった。【解決手段】 接着用フィルムを導電粒子および非導電粒子を含有する樹脂系接着剤からなる第1の接着層と非導電粒子を含有しない第2の接着層で構成したので、半導体チップとの接着時に第2の接着層により半導体チップ周側部に沿った円弧形状の接合層が形成されるとともに、非導電粒子の含有により流動の抑えられた第1の接着層によって半導体チップ側の小さな電極でも導電粒子を充分に捕捉することができる。
請求項(抜粋):
電極を具備する半導体チップと、電極を具備する配線基板と、導電粒子および非導電粒子を含有する樹脂系接着剤からなる第1の接着層と非導電粒子を含有しない樹脂系接着剤からなる第2の接着層とを有する接着用フィルムを、前記第1の接着層を前記配線基板上の電極が設けられている側に、前記第2の接着層を前記半導体チップの電極が設けられている側に配置して加熱硬化することにより形成された接合層と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L 21/60 311
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, C09J 5/06
, C09J 7/00
FI (5件):
H01L 21/60 311 S
, H01L 21/56 R
, C09J 5/06
, C09J 7/00
, H01L 23/30 B
Fターム (47件):
4J004AA10
, 4J004AA11
, 4J004AA13
, 4J004AA18
, 4J004AA19
, 4J004AB05
, 4J004BA03
, 4J004FA05
, 4J040DB022
, 4J040DF001
, 4J040EC001
, 4J040EH031
, 4J040HA066
, 4J040HA136
, 4J040HA206
, 4J040HA306
, 4J040JA09
, 4J040JB02
, 4J040KA03
, 4J040KA07
, 4J040KA32
, 4J040LA09
, 4J040NA20
, 4J040PA23
, 4J040PA30
, 4M109AA02
, 4M109BA03
, 4M109CA22
, 4M109EA02
, 4M109EA07
, 4M109EA11
, 4M109EB13
, 4M109EB17
, 4M109EB18
, 4M109EC07
, 4M109EC20
, 5F044LL09
, 5F044LL11
, 5F044QQ01
, 5F044RR17
, 5F044RR18
, 5F061AA02
, 5F061BA03
, 5F061CA22
, 5F061CB02
, 5F061CB12
, 5F061CB13
引用特許: