特許

J-GLOBAL ID：200903065306078542

半導体熱処理装置及びその方法

発明者： ダグラス エイ ボルトン ,  パトリック ダブリュー ウィーゼン
出願人/特許権者： シリコン ヴァレイ グループ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-072438
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003918
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：

【要約】【課題】 再循環するヒータ排気冷却システムを有し、補助空気源等を必要としない急速冷却半導体熱処理装置を提供する。【解決手段】 要約すると、半導体ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで処理する縦型急速冷却炉が、円筒状の加熱コイル列内に配置された加熱壁反応管を含んでいる。加熱壁反応管と前記加熱コイル列との間の空間はその間に冷却ガス通路を提供する。冷却ガス通路は入口及び出口を有し、冷却ガス入口が冷却ガス通路の入口に連通すると共に加熱ガス出口が冷却ガス通路の出口に連通する。炉は、加熱ガス入口と冷却ガス出口とを有する熱交換器を含み、加熱ガス入口が前記加熱ガス出口に連通し、冷却ガス出口が前記冷却ガス通路入口に連通している。このシステムでは、冷却ガス通路からの加熱ガスはそこから熱を除去するために冷却されると共に炉からの熱を除去するために前記冷却ガス通路に戻される。炉は冷却ガス出口と冷却ガス通路入口との間に置かれたファンとその加熱サイクル中に炉から熱交換器を隔離するバルブとを含んでいるのが好ましい。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハを冷却再循環内蔵ガスで処理する縦型急速冷却炉であって、加熱壁反応管と加熱コイル列との間に間隔をあけてその間に冷却ガス通路を備え、該冷却ガス通路が入口及び出口を有し、冷却ガス入口が冷却ガス通路の入口に連通すると共に加熱ガス出口が冷却ガス通路の出口に連通する、円筒状の加熱コイル列内に配置された加熱壁反応管と、加熱ガス入口と冷却ガス出口とを有し、その加熱ガス入口が前記加熱ガス出口に連通し、冷却ガス出口が前記冷却ガス通路入口に連通している熱交換器とを含み、前記冷却ガス通路からの加熱ガスがそこからの熱を除去するために冷却されると共に炉からの熱を除去するために前記冷却ガス通路に戻されることを特徴とする縦型急速冷却炉。

FI (2件)：

H01L 21/324 J ,  H01L 21/324 R

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-168616   出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社