特許

J-GLOBAL ID：200903065331299189

メモリー素子及び増幅素子

発明者： 榊間 博 ,  入江 庸介 ,  里見 三男 ,  川分 康博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-277574
公開番号（公開出願番号）：特開平8-139387
出願日： 1994年11月11日
公開日（公表日）： 1996年05月31日
要約：

【要約】【目的】 新規な構成により、構成が簡単で低電流動作の微小なメモリー素子及び増幅素子を可能とする。【構成】 図2に示すように磁性膜と非磁性金属膜を積層した人工格子膜2において、膜の磁性層間の交換結合エネルギーをJ、磁気異方性エネルギーをKとした場合、J<0でかつK>|J|となるようにし、導体線1により発生する磁界方向をこのKに起因する容易軸方向と平行となるように構成し、人工格子膜部が図1のようなMR曲線を示すようにして、低磁界動作が可能なことを特徴とするメモリー素子及び増幅素子。

請求項（抜粋）：

非磁性金属膜を介して反強磁性結合をしている二つの磁性金属膜より成る[磁性金属膜/非磁性金属膜/磁性金属膜]人工格子膜導体部と、この導体部近傍に絶縁膜を介して設けられた金属導体線を備え、該磁性膜間の交換結合エネルギーをJ(<0)、該人工格子膜の磁気異方性エネルギーをKとするとき、該人工格子膜部がK>|J|を満足し、かつ該金属導体線に電流を流すことにより発生する磁界方向と該人工格子膜のKに起因する磁化容易軸方向がほぼ平行となるように構成され、該人工格子膜部のMR曲線(磁界による抵抗変化曲線)が上記発生磁界Hを0からH>0に増加させた場合、該人工格子膜部の抵抗が一旦増加し、極大を示した後減少してH=0の場合とほぼ同じ抵抗値となり、その後Hを減少させると、H=0まではほぼ抵抗変化が無く、磁界を反転してH<0方向に磁界を増加させると抵抗は一旦増加し、極大を示した後減少しH=0の場合とほぼ同じ抵抗値を示す動作をすることを特徴とするメモリー素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 27/10 451

引用特許：

審査官引用 (2件)

• メモリー素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-028748   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開平4-302103