特許

J-GLOBAL ID：200903065357330068

半導体装置の製造方法、シリコンの前駆体液および電子機器の製造方法

発明者： 加藤 誠
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 稲葉 良幸 ,  田中 克郎 ,  大賀 眞司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-141447
公開番号（公開出願番号）：特開2009-290016
出願日： 2008年05月29日
公開日（公表日）： 2009年12月10日
要約：

【課題】シリコン膜の成膜性を向上させることができる前駆体液およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部にシリコンの前駆体液を配置する工程と、前記シリコンの前駆体液に熱処理を施すことによりシリコン膜を形成する工程と、を有し、前記シリコンの前駆体液は、高次シランを含む環状飽和炭化水素化合物の溶液である。このように、環状飽和炭化水素化合物を溶媒として用いることにより高次シラン(例えば、平均分子量が2600を超えるポリシラン化合物)を溶解させることができ、前駆体液の均一性を向上させることができる。よって、形成されるシリコン膜の成膜性を向上させることができる。また、高次シランを用いることで、膜材料の揮発を低減でき、装置の生産性を向上させることができる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板の上部にシリコンの前駆体液を配置する工程と、 前記シリコンの前駆体液に熱処理を施すことによりシリコン膜を形成する工程と、を有し、 前記シリコンの前駆体液は、 高次シランを含む環状飽和炭化水素化合物の溶液であることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/208 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

H01L21/208 D ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 618A ,  H01L31/04 V

Fターム (53件)：

5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051CA20 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051GA11 ,  5F053AA03 ,  5F053AA06 ,  5F053BB60 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053GG03 ,  5F053LL10 ,  5F053PP03 ,  5F110AA16 ,  5F110AA26 ,  5F110BB02 ,  5F110CC01 ,  5F110DD03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE42 ,  5F110FF02 ,  5F110FF22 ,  5F110FF27 ,  5F110GG02 ,  5F110GG06 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG32 ,  5F110GG42 ,  5F110GG52 ,  5F110GG54 ,  5F110HK09 ,  5F110HK25 ,  5F110HK32 ,  5F110HK39 ,  5F110HL03 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN33 ,  5F110NN37 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ06 ,  5F152BB02 ,  5F152BB09 ,  5F152CC03 ,  5F152CE05 ,  5F152CE18 ,  5F152FF01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• シリコン膜形成方法およびインクジェット用インク組成物
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2000001987   出願人：セイコーエプソン株式会社, ジェイエスアール株式会社