アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川洋子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-157791
公開番号（公開出願番号）：特開平11-352703
出願日： 1998年06月05日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】より過酷な条件のドライエッチング、アッシングが施された基板に対し、腐食防止効果、金属デポジションの除去に優れ、さらには有機SOG層に対してもダメージを与えない、アッシング後の処理液およびこれを用いた処理方法を提供する。【解決手段】フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩と、水溶性有機溶媒、水およびアセチレンアルコール・アルキレンオキシド付加物を配合させてアッシング後の処理液とする。そして、基板上に設けたホトレジストパターンをマスクとして、該基板にエッチング、アッシング処理をした後、上記処理液を適用して基板を処理する。

請求項（抜粋）：

(a)フッ化水素酸と金属イオンを含まない塩基との塩、(b)水溶性有機溶媒、(c)水、および(d)アセチレンアルコール・アルキレンオキシド付加物を配合してなる、アッシング後の処理液。

IPC (9件)：

G03F 7/42 , C11D 1/72 , C11D 3/04 , C11D 3/43 , C11D 7/10 , C11D 7/22 , C11D 7/50 , H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (9件)：

G03F 7/42 , C11D 1/72 , C11D 3/04 , C11D 3/43 , C11D 7/10 , C11D 7/22 , C11D 7/50 , H01L 21/302 H , H01L 21/30 572 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-211217 出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社
レジスト用剥離液組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-179872 出願人：東京応化工業株式会社
レジスト用剥離液組成物
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-032817 出願人：東京応化工業株式会社

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