特許
J-GLOBAL ID：200903065392199853
薄膜回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-158934
公開番号（公開出願番号）：特開平11-008457
出願日： 1997年06月16日
公開日（公表日）： 1999年01月12日
要約：
【要約】【課題】 基板上にエッチングにより形成された外部電極に接続して薄膜回路を形成する際に接続界面に形成する薄膜に亀裂や破断が生じにくくする。【解決手段】 外部電極4a、4bをエッチングにより形成するマスクパターンの接続界面位置に凹部9を列設形成することにより、凹部9の内方に向かうほどエッチングの進行速度に遅れが生じるため、外部電極4a、4bの部分以外が除去されたときにも凹部9内は傾斜面となって残される。従って、接続界面に形成された複数の傾斜面を利用して薄膜を形成すると、大きな段差がないため形成される薄膜に括れが生じず、それに起因する亀裂や破断のない薄膜回路形成を行うことができる。
請求項（抜粋）：
エッチングにより外部電極が形成された基板上に前記外部電極に接続して薄膜回路を形成する薄膜回路基板の製造方法において、前記基板上に外部電極を所定形状にエッチング処理するマスクパターンを、その前記薄膜回路との接続界面となる位置に、端辺から内方に向かう複数の凹部を有するように形成した後、エッチング処理し、形成された外部電極に接続して薄膜回路を形成することを特徴とする薄膜回路基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K 1/16 B
, H05K 3/06 A
