特許
J-GLOBAL ID：200903065397548589

非単結晶薄膜太陽電池の製造方法

発明者：
佐々木 敏明

佐々木 敏明 について


出願人/特許権者：
株式会社富士電機総合研究所

株式会社富士電機総合研究所 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-181892
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009312
出願日： 2000年06月16日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
要約：
【要約】【課題】微結晶相を含む非晶質薄膜からなるpinまたはpn接合を有する非単結晶薄膜太陽電池において、効率の向上を図る。【解決手段】n層、i層、p層をこの順に積層した非単結晶薄膜太陽電池の場合、n層、またはその一部、或いはn層とi層の一部を低い基板温度T1 で製膜し、i層とp層、または残りのn層とi層とp層、或いは残りのi層とp層とをT1 より高い基板温度T2 で製膜する。特に、T1 を70〜120°Cとし、T2 を120〜450°Cとする。
請求項（抜粋）：
基板上に導電膜を介して、微結晶相を主とする第一導電型層、微結晶相を主とし実質的に真性なi型半導体層、および第一導電型層と逆の導電型の第二導電型層を積層し、更に透明電極、金属グリッド電極を形成してなる非単結晶薄膜太陽電池の製造方法において、微結晶相を主とする積層の一部を第一の基板温度で製膜した後、その上に第一の基板温度よりも高い第二の基板温度で製膜することを特徴とする非単結晶薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04 ,  C23C 16/24 ,  H01L 21/205
FI (4件)：
C23C 16/24 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 V
Fターム (43件)：
4K030BA09 ,  4K030BA29 ,  4K030BA30 ,  4K030BA37 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030BB03 ,  4K030BB05 ,  4K030BB12 ,  4K030HA02 ,  4K030JA10 ,  4K030LA16 ,  5F045AA03 ,  5F045AA08 ,  5F045AA11 ,  5F045AB03 ,  5F045AC01 ,  5F045AC19 ,  5F045AD04 ,  5F045AD05 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE17 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AF07 ,  5F045BB12 ,  5F045CA13 ,  5F045DA52 ,  5F045DA61 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051AA16 ,  5F051CB12 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051DA03 ,  5F051DA04 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5F051GA06
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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