特許
J-GLOBAL ID：200903059416132518

光起電力素子及びその製造方法

発明者：
佐野 達二

佐野 達二 について

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師岡 久雄

師岡 久雄 について

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西 和夫

西 和夫 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について

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株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-103540
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291883
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 基板と、透明導電膜と、第1の導電型半導体と、真性層と、第1の導電型と異なる導電型の第2の導電型半導体とを具える光起電力素子において、開放端電圧の低下を抑制する。【解決手段】 第2の透明導電膜12-2とP型半導体層13との間に、水素濃度15体積%以下の雰囲気中において形成されてなる中間層17を、第1の透明導電膜12-1及び第2の透明導電膜12-2を覆うようにして設ける。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板上に形成された透明導電膜と、この透明導電膜上に順次積層された第1の導電型半導体層と、真性層と、前記第1の導電型と異なる第2の導電型半導体層とを具える光起電力素子であって、前記透明導電層と前記第1の導電型半導体層との間において、水素濃度15体積%以下の雰囲気中において形成されてなる中間層を、前記透明導電膜を覆うようにして設けたことを特徴とする、光起電力素子。
FI (2件)：
H01L 31/04 B ,  H01L 31/04 M
Fターム (11件)：
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA15 ,  5F051BA17 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051DA04 ,  5F051DA20 ,  5F051FA18 ,  5F051GA03 ,  5F051GA05
引用特許：
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (15件)
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