半導体受光素子及び半導体装置並びにそれらの作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-171838
公開番号（公開出願番号）：特開平8-018093
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】光電変換特性と周波数特性を同時に満足し得る半導体受光素子及びその作製方法を提供する。【構成】半導体受光素子は、第1及び第2の受光領域を有し、第1の受光領域は第2の受光領域と異なる構造を有し、以って第1の受光領域は第2の受光領域と異なる光電変換特性及び周波数特性を有する。半導体受光素子の作製方法は、(イ)第1導電型の半導体基板1に、第1導電型を有する高濃度不純物領域10及び素子分離領域30を形成し、(ロ)半導体基板1及び高濃度不純物領域10の上に、第2導電型を有する半導体層を形成し、以って、半導体基板に形成された高濃度不純物領域10及び半導体層から成る光電変換層11にて構成された第1の受光領域、並びに、半導体基板に形成された半導体層から成る光電変換層21にて構成された第2の受光領域を形成する各工程から成る。

請求項（抜粋）：

第1及び第2の受光領域を有する半導体受光素子であって、第1の受光領域は第2の受光領域と異なる構造を有し、以って第1の受光領域は第2の受光領域と異なる光電変換特性及び周波数特性を有することを特徴とする半導体受光素子。

IPC (2件)：

H01L 31/10 , H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 27/14 A

引用特許：

審査官引用 (14件)

光半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-302027 出願人：三洋電機株式会社
特開昭51-113481
特開昭59-063778

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