レジスト剥離剤組成物及びその使用方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：塩出真一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-173454
公開番号（公開出願番号）：特開2001-005200
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【構成】フッ化アンモニウム、極性有機溶剤、水及びアスコルビン酸を含有し、かつ、水素イオン濃度(pH)が5.0未満であるレジスト剥離剤組成物。【効果】半導体又は液晶用の素子回路等の製造工程における配線成形時に生成するレジスト残渣を高性能で除去することができるとともに、基板上のアルミニウム等の金属薄膜の腐食を良好に防止することができる。

請求項（抜粋）：

フッ化アンモニウム、極性有機溶剤、水及びアスコルビン酸を含有し、かつ、水素イオン濃度(pH)が5.0未満であることを特徴とするレジスト剥離剤組成物。

IPC (2件)：

G03F 7/42 , H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/42 , H01L 21/30 572 B

Fターム (7件)：

2H096AA25 , 2H096HA23 , 2H096LA03 , 2H096LA07 , 5F046MA02 , 5F046MA12 , 5F046MA17

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体素子製造用洗浄液及びこれを用いた半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-226410 出願人：三菱瓦斯化学株式会社
フォトレジスト用剥離液及び配線パターンの形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-082518 出願人：三菱瓦斯化学株式会社, シャープ株式会社
半導体素子製造用洗浄液及びそれを用いた半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-211217 出願人：株式会社日立製作所, 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 三菱瓦斯化学株式会社

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