金属腐食を減少させるための還元剤を含有しているフォトレジストストリッパー

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々井克郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-268033
公開番号（公開出願番号）：特開平7-219241
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】本発明の目的は、金属腐食を減少又は抑制する為に還元剤を含有しているアルカリ性フォトレジストストリッピング組成物の提供である。【構成】還元剤には、反応性の多重結合を含有している化合物、ヒドラジン及びその誘導体類、オキシム類、ヒドロキノン、ピロガロ-ル、没食子酸及びそのエステル、トコフェロ-ル、6-ヒドロキシ-2,5,7,8-テトラメチルクロマン-2-カルボン酸、BHT、BHA、2,6-ジ-第三ブチル-4-ヒドロキシメチルフェノ-ル、トリオ-ル類、サリチルアルデヒド、4-ヒドロキシベンズアルデヒド、及びグリコ-ルアルデヒドジアルキルアセタ-ル類が含まれる。

請求項（抜粋）：

約8〜約15の溶解度パラメ-タ-を有するストリッピング溶媒約50〜約98重量%、親核性アミン約1〜約50重量%、金属含有基体から硬化又は架橋されたフォトレジストをストリップする為にストリッピング組成剤が使用される時に金属腐食を抑制又は減少させるのに有効な量の還元剤、を含んでおり、該還元剤が反応性の二重結合又は多重結合を含有している化合物、ヒドラジン及びその誘導体類、オキシム類、ヒドロキノン、ピロガロ-ル、没食子酸、2,4,5-トリヒドロキシブチロフェノン、3,5-ジ-第三ブチル-4-ヒドロキシトルエン、3-第三ブチル-4-ヒドロキシアニソ-ル、トコフェロ-ル、6-ヒドロキシ-2,5,7,8-テトラメチルクロマン-2-カルボン酸、チオ-ル類、アルデヒド類、及びそれらの誘導体類からなる群から選択され、該重量%はストリッピング組成物の重量に基づくものである、アルカリ含有フォトレジストストリッピング組成物。

IPC (7件)：

G03F 7/42 , C23F 11/12 , C23F 11/12 101 , C23F 11/12 102 , C23F 11/14 , C23F 11/16 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (10件)

ポジ型フォトレジスト用剥離液および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-105186 出願人：日本テキサス・インスツルメンツ株式会社, 関東化学株式会社
特開平4-124668
水溶性レジストの剥離方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035275 出願人：日立化成工業株式会社

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