特許
J-GLOBAL ID：200903065448099601

薄膜トランジスタおよびその製造方法

発明者：
坂本 弘美

坂本 弘美 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-199579
公開番号（公開出願番号）：特開平11-046000
出願日： 1997年07月25日
公開日（公表日）： 1999年02月16日
要約：
【要約】【課題】 コンタクト特性が良好で、高性能な薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 透明絶縁性基板1上には下地絶縁膜2、多結晶シリコン層3が設けられ、これを被覆するように基板略全面にゲート絶縁膜4が設けられている。さらに、この上にゲート電極5が設けられており、これを被覆する層間絶縁膜10として、第一のシリコン窒化膜8および第二のシリコン窒化膜9が堆積されている。また、上記多結晶シリコン層3のソース領域6、ドレイン領域7と、ソース電極11、ドレイン電極12とがそれぞれ、層間絶縁膜およびゲート電極を貫通するコンタクトホールを介して接続されている。さらに上層にはパッシベーション膜13、平坦化膜14および画素電極15が設けられており、画素電極15はコンタクトホールを介して、ドレイン電極12と接続されている。
請求項（抜粋）：
多結晶シリコンからなる半導体領域の上層に、シリコン酸化膜からなるゲート絶縁膜と、層間絶縁膜とが順に積層された薄膜トランジスタにおいて、前記層間絶縁膜が、膜質の異なる二層のシリコン窒化膜からなることを特徴とする薄膜トランジスタ。
IPC (5件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L 29/78 619 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/318 M ,  H01L 21/90 M ,  H01L 21/90 P ,  H01L 29/78 627 E
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 絶縁膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055277   出願人：カシオ計算機株式会社
  • 特開昭62-204575
審査官引用 (2件)
  • 絶縁膜の形成方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055277   出願人：カシオ計算機株式会社
  • 特開昭62-204575

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