特許

J-GLOBAL ID：200903065461124801

高利得の吸収/増倍分離式の電子なだれフォトダイオード

発明者： 方 炎坤 ,  李 坤憲 ,  李 ▲甘▼原
出願人/特許権者： 行政院国家科学委員会
代理人 (1件)： 藤野 清也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-305286
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127336
出願日： 1999年10月27日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：

【要約】【課題】 低コストの材料から、比較的簡単な製造プロセスを用い、低い処理温度の穏和な条件下に、高利得の吸収/増倍分離式の電子なだれフォトダイオードを製造し提供すること。また、高感度、高応答速度であり、特に、光通信システムなどに用いるデバイスとして好適なフォトダイオードを提供すること。【解決手段】 本発明は、基板と、該基板上に形成された、非晶質珪素ゲルマニウム(a-Si1-XGeX:H)よりなる吸収層と、該吸収層上に形成された、非晶質珪素(a-Si:H)よりなる増倍層と、該増倍層上に形成されるアルミニウムなどでなる電極層とからなる高利得の吸収/増倍分離式の電子なだれフォトダイオードである。

請求項（抜粋）：

基板と、該基板上に形成された、非晶質珪素ゲルマニウム(a-Si1-XGeX:H、式中Xはゲルマニウム原子の含有量を示す。)よりなる吸収層と、該吸収層上に形成された、非晶質珪素(a-Si:H)よりなる増倍層と、該増倍層上に形成された電極層とを少なくとも有することを特徴とする高利得の吸収/増倍分離式の電子なだれフォトダイオード。

Fターム (8件)：

5F049MA08 ,  5F049MB05 ,  5F049NB01 ,  5F049SE02 ,  5F049SE04 ,  5F049SE05 ,  5F049SS01 ,  5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光電変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-259623   出願人：キヤノン株式会社
• 半導体受光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-343313   出願人：富士ゼロックス株式会社