特許
J-GLOBAL ID:200903065489827042

電極基板およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-220200
公開番号(公開出願番号):特開平10-062776
出願日: 1996年08月21日
公開日(公表日): 1998年03月06日
要約:
【要約】【課題】優れた層間密着力およびガスバリア性を有する電極基板を提供する。【解決手段】プラスチックフィルム、該プラスチックフィルムの少なくとも片面に設けられた薄膜層、および該薄膜層上に設けられた樹脂硬化物層を有する積層シートを備えた電極基板であって、該薄膜層が酸化硅素を主成分とし、該薄膜層の比重が2.0〜2.2である、電極基板。
請求項(抜粋):
プラスチックフィルム、該プラスチックフィルムの少なくとも片面に設けられた薄膜層、および該薄膜層上に設けられた樹脂硬化物層を有する積層シートを備えた電極基板であって、該薄膜層が酸化硅素を主成分とし、該薄膜層の比重が2.0〜2.2である、電極基板。
IPC (9件):
G02F 1/1335 510 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 ,  B32B 27/36 ,  C23C 14/10 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/1333 500 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 1/03 630
FI (9件):
G02F 1/1335 510 ,  B32B 7/02 104 ,  B32B 9/00 A ,  B32B 27/36 ,  C23C 14/10 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/1333 500 ,  H05K 1/03 610 M ,  H05K 1/03 630 G
引用特許:
審査官引用 (15件)
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