特許

J-GLOBAL ID：200903065490040692

トレンチ素子分離構造およびその形成方法

発明者： 山村 育弘
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-112094
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283614
出願日： 1996年04月10日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 比較的簡単な工程によって活性領域端部におけるしきい値の低下を防止することができるトレンチ素子分離構造およびその形成方法を提供する。【解決手段】 シリコン基板11に形成された溝部16に埋め込まれたシリコン酸化膜18-1と、その上に一体に形成されたシリコン酸化膜18-2とによってトレンチ素子分離層としてのシリコン酸化膜18を構成する。シリコン酸化膜18-2は溝部16の幅よりも大きい幅を有し、溝部16の肩部分のシリコン基板11を覆っている。このため、トレンチ素子分離構造の形成後におけるプロセスにおいて、シリコン酸化膜18-1がエッチングされることでシリコン基板11の活性領域との間に隙間が形成されることがなくなる。

請求項（抜粋）：

基板に形成した溝部と、この溝部に埋め込まれた第1の絶縁膜と、この第1の絶縁膜の上に、上面が前記基板よりも高くなるように前記第1の絶縁膜と一体に形成されると共に、前記溝部の幅よりも大きい幅を有する第2の絶縁膜とを備えたことを特徴とするトレンチ素子分離構造。

IPC (3件)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/76 L ,  H01L 21/302 K ,  H01L 21/306 E ,  H01L 21/306 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-087045
  
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-288697   出願人：株式会社東芝
• 特開平3-087045