半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-288697
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140501
出願日： 1992年10月27日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】この発明は、素子を分離するのに充分な形状を持つ埋込型の素子分離領域を有する半導体装置およびその製造方法を提供しようとするものである。【構成】主表面を有するシリコン基板1と、この基板1内に形成された溝2と、この溝2内に埋め込まれるとともに、前記主表面より突出する突出部4を有し、かつこの突出部4の頂部から基体の主表面にかけてスロ-プ状5a〜5cとなっている絶縁膜から成る素子分離領域を有することを主要な特徴としている。上記構成であると、素子分離領域が基板1に対して凸となっているので、溝2の側壁に沿って形成される窪みが無く、さらに突出部4の頂部から基板1の主表面にかけてスロ-プ状となっているので段差部も無い。従って、素子分離領域周囲に堆積物が残留しなくなり、例えばゲ-ト短絡等の不良を発生する恐れが軽減される。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基体と、前記基体の主表面領域内に形成された溝と、前記溝内に埋め込まれるとともに、前記主表面より突出する突出部を有しかつこの突出部の頂部から前記基体の主表面にかけてスロ-プ状となる絶縁膜により構成される素子分離領域とを具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/76 , H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平3-209751
特開平1-204441
特開平3-209761

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