特許

J-GLOBAL ID：200903065501938572

アルミニウム放熱基板の製造方法

発明者： 中村 和史 ,  早坂 公郎 ,  清水 義博
出願人/特許権者： 秩父小野田株式会社 ,  加美電子工業株式会社 ,  株式会社ケディカ
代理人 (1件)： 大家 邦久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-153990
公開番号（公開出願番号）：特開平10-004260
出願日： 1996年06月14日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：

【要約】【課題】 放熱性が良く、しかも電極ないし電気回路が形成された表層部と絶縁層および基材層部分が強固に一体形成されており、熱を発生ないし吸収する素子などを搭載するのに適した高熱伝導性基板を容易に製造する方法を提供する。【解決手段】 アルミニウム基材を陽極酸化処理を施すことにより、該基材表面に開口孔端を有する多孔質層と該多孔質層下に位置し上記孔が存在しないバリアー層とからなる酸化アルミニウムの絶縁層を生成させた後、該絶縁層上に無電解めっきにより導電層を形成し、引き続き該導電層表面に電解めっきによって電極ないし電気回路を形成することを特徴とするアルミニウム放熱基板の製造方法。

請求項（抜粋）：

アルミニウム基材を陽極酸化処理を施すことにより、該基材表面に開口孔端を有する多孔質層と該多孔質層下に位置し上記孔が存在しないバリアー層とからなる酸化アルミニウムの絶縁層を生成させた後、該絶縁層上に無電解めっきにより導電層を形成し、引き続き該導電層表面に電解めっきによって電極ないし電気回路を形成することを特徴とするアルミニウム放熱基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/44 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H05K 3/44 A ,  H01L 23/12 J

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体用アルミニウム基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-302482   出願人：昭和アルミニウム株式会社
• 特開昭58-074091
  
• プリント配線板の基板表面処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-345562   出願人：横浜ゴム株式会社
• 特開昭63-230887