特許

J-GLOBAL ID：200903065502297317

太陽電池

発明者： 根上 卓之 ,  西谷 幹彦 ,  和田 隆博
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-181242
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038128
出願日： 1993年07月22日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】 高いエネルギー変換効率が得られる太陽電池を提供する。【構成】 ガラスからなる透明絶縁体基板1の上に導電膜2としてITO膜を0. 3μm被覆し、次にZnOの透明絶縁体膜3を0. 8μm形成し、その上にI 族III 族VI族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜4としてCuInSe2 膜を基板温度525°Cで2. 0μm蒸着した。この積層膜を空気中、300°Cで3時間熱処理した後、金属電極5としてAuを0. 1μm蒸着して太陽電池を作製する。

請求項（抜粋）：

透明絶縁体基板上に形成された下部電極となる透明導電膜上に、I 族III 族VI族元素からなるカルコパイライト構造半導体薄膜、上部電極となる金属膜あるいは透明導電膜を順に積層してなる太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-028968
  
• 特開平4-369871
  
• カルコパイライト薄膜の作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-186078   出願人：松下電器産業株式会社
• 特開昭50-152684