特許
J-GLOBAL ID:200903065521974397

磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-163354
公開番号(公開出願番号):特開2000-353308
出願日: 1999年06月10日
公開日(公表日): 2000年12月19日
要約:
【要約】【課題】 放熱効率を高めることができる磁気変換素子、薄膜磁気ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 磁気変換素子であるMR素子50は、反強磁性層51、ピンド層52、非磁性金属53およびフリー層54を積層してなる積層体5を有している。この積層体5は、高抵抗の非磁性材料により構成された放熱層6上に形成されている。放熱層6は、積層体5よりも大きな表面積を持っており、厚みは0.5nm以上100nm以下である。積層体5を流れる電流によって生じるジュール熱は、表面積の大きな放熱層6を介して放熱されるので、MR素子50の温度上昇を抑制することができる。
請求項(抜粋):
外部磁場を感知する感磁層と、前記感磁層に隣接して形成された放熱層とを備えたことを特徴とする磁気変換素子。
IPC (2件):
G11B 5/39 ,  G11B 5/40
FI (2件):
G11B 5/39 ,  G11B 5/40
Fターム (6件):
5D034BA03 ,  5D034BA15 ,  5D034BA21 ,  5D034BB08 ,  5D034BB12 ,  5D034DA07
引用特許:
審査官引用 (3件)

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