特許
J-GLOBAL ID:200903065549282172

回路部材および該回路部材を用いた樹脂封止型半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小西 淳美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-205520
公開番号(公開出願番号):特開平11-040720
出願日: 1997年07月16日
公開日(公表日): 1999年02月12日
要約:
【要約】【課題】 更なる樹脂封止型半導体装置の高集積化、高機能化が求められている中、半導体装置のパッケージサイズにおけるチップの占有率を上げ、半導体装置の小型化に対応できる、樹脂封止型半導体装置用の回路部材、および該回路部材を用いた半導体装置を提供する。そして、同時に従来のTSOP等の小型パッケージに困難であった更なる多ピン化を実現する。【解決手段】 エッチングにより外形加工された、半導体素子の端子と電気的に結線するための内部端子部と、外部回路への接続のための外部端子部とをその表裏に相対するように一体的に設けた端子部を略一平面内に複数個、それぞれ互いに独立して配置し、各端子部を接続リードを介して、全体を保持する外枠部に一体連結している回路部材であって、少なくとも半導体装置作製の際の樹脂封止領域においては、粗面化処理された素材の表面部上に、順に、ニッケルめっき、パラジウムめっきを施してある。
請求項(抜粋):
エッチングにより外形加工され、半導体素子の端子と電気的に結線するための内部端子部と外部回路への接続のための外部端子部とがその表裏に相対するように一体的に設けられた端子部を略一平面内に複数個、それぞれ互いに独立して配置し、各端子部を接続リードを介して、全体を保持する外枠部に一体連結している回路部材であって、少なくとも半導体装置作製の際の樹脂封止領域においては、粗面化処理された素材の表面部上に、順に、ニッケルめっき、パラジウムめっきを施したことを特徴とする回路部材。
IPC (3件):
H01L 23/48 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50
FI (3件):
H01L 23/48 V ,  H01L 23/28 A ,  H01L 23/50 D
引用特許:
審査官引用 (4件)
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