特許

J-GLOBAL ID：200903065615317039

単結晶製造装置

発明者： 小平 紘平
出願人/特許権者： 東洋通信機株式会社 ,  小平 絋平
代理人 (1件)： 鈴木 均
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-062303
公開番号（公開出願番号）：特開平11-240789
出願日： 1998年02月26日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 融液の粘性が大きい物質の単結晶を低コストで容易に良質に製造できる単結晶製造装置を提供する。【解決手段】 引き下げ法を用いた単結晶製造装置において、粉末原料供給装置20により電気炉10内の原料融解槽3に粉末原料5pを供給し、原料融解槽3内で粉末原料5pを融解させて原料融液5mを生成し、この原料融液5mを白金棒4を伝わらせて白金坩堝2内に導入することにより、白金坩堝2内に原料融液5mを連続的に供給して結晶18を育成する。粉末原料槽6内の粉末原料5p中に乾燥空気を導入して原料粉末5pの湿気を防ぐ。粉末原料5mを移送する移送管9を冷却することにより粉末原料5pの融解により移送管9が詰まるのを防ぐ。

請求項（抜粋）：

電気炉内に原料の入った坩堝を配置してこれを当該原料の融点以上の温度に保ち、坩堝の底部に形成された細孔から漏れ出た原料融液に種子結晶の上端部を接触させた状態で種子結晶を回転させながら引き下げることによって結晶を成長させる単結晶製造装置において、粉末原料を融解させて原料融液を生成するための原料融解槽と、この原料融解槽に粉末原料を供給する粉末原料供給手段と、当該原料融解槽内の原料融液を前記坩堝内に導入する原料融液導入手段とを備えたことを特徴とする単結晶製造装置。

IPC (3件)：

C30B 15/08 ,  C30B 15/02 ,  C30B 29/30

FI (3件)：

C30B 15/08 ,  C30B 15/02 ,  C30B 29/30 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• シリコン単結晶の生成方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-268775   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト