特許

J-GLOBAL ID：200903065620538213

半導体装置およびその製造方法

発明者： 及川 慎 ,  江藤 弘樹 ,  久保 博稔 ,  宮原 正二
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-261011
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174166
出願日： 2002年09月06日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：

【要約】【課題】従来のパワーMOSFETでは実動作領域最外周のゲート電極底部に電界集中が発生しドレイン-ソース(又はコレクタ-エミッタ)間の耐圧劣化を招いている。【解決手段】実動作領域最外周のトレンチを実動作領域のトレンチよりも浅く形成する。これにより実動作領域最外周でのゲート電極底部での電界集中を緩和しし、ドレイン-ソース(又はコレクタ-エミッタ)間の耐圧劣化を抑制できる。更に最外周のトレンチ開口部を狭くすることにより、同一工程で深さの異なるトレンチを形成できるものである。

請求項（抜粋）：

多数のトレンチ構造のトランジスタのセルを配列した実動作領域の最外周のトレンチ深さを他のトレンチよりも浅くすることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 653 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 658 G

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-078674   出願人：三菱電機株式会社

審査官引用 (1件)

• トレンチゲート型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-198531   出願人：株式会社日立製作所