特許

J-GLOBAL ID：200903065641851256

熱処理装置

発明者： 山下 光夫 ,  森 英人
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-056637
公開番号（公開出願番号）：特開2007-234980
出願日： 2006年03月02日
公開日（公表日）： 2007年09月13日
要約：

【課題】熱処理後の処理室からの昇華物等の不純物の放出を抑制して、処理精度の向上を図れるようにした熱処理装置を提供すること。【解決手段】レジスト膜が形成されたウエハWを載置し加熱する加熱プレート51と、加熱プレートの外周を包囲する外周リング52と、外周リングの上方開口部を覆う蓋体54と、加熱プレートを貫通してウエハを昇降可能に支持する支持ピン63と、を具備する熱処理装置において、蓋体に気体供給口55を設けると共に、蓋体と外周リングとの間に、吸気口56を周設し、外周リングと加熱プレートとの間に、排気口57を周設すると共に、排気口に接続する排気管路61に排気ポンプ62を介設する。コントローラ70からの制御信号に基づいてウエハを加熱プレートに載置して加熱処理した後、支持ピンを上昇させてウエハを加熱プレートから離して冷却することにより、熱処理時に発生する昇華物等の不純物を抑制する。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

表面に塗布膜が形成された被処理基板を載置し加熱する載置台と、上記載置台の外周を包囲する外周リングと、上記外周リングの上方開口部を覆う蓋体と、上記載置台を貫通して、上記被処理基板を昇降可能に支持する支持ピンと、を具備する熱処理装置であって、 上記蓋体の中央部に、気体供給口を設けると共に、蓋体の外周と上記外周リングの内周との間に、吸気口を周設し、 上記外周リングの下部側と上記載置台との間に、排気口を周設すると共に、この排気口に接続する排気管路に排気手段を介設し、 上記支持ピンの昇降手段及び排気手段を制御する制御手段を具備してなり、 上記被処理基板が載置台に載置されて加熱処理された後、上記制御手段からの制御信号に基づいて上記支持ピンを上昇させて被処理基板を載置台から離して冷却するように形成してなる、 ことを特徴とする熱処理装置。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  F26B 3/20

FI (2件)：

H01L21/30 567 ,  F26B3/20

Fターム (9件)：

3L113AB05 ,  3L113AC08 ,  3L113AC67 ,  3L113BA34 ,  3L113DA04 ,  3L113DA09 ,  3L113DA24 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-153982   出願人：東京エレクトロン株式会社