集積化磁気抵抗効果センサ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲柳▼川信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-117955
公開番号（公開出願番号）：特開平6-310327
出願日： 1993年04月21日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：

【要約】【目的】強磁性体薄膜で形成され磁界の方向を検出する4個の磁気抵抗効果素子がその隣接する素子同士の最大検出方向が互いに異なるように配置され、かつ該4個の素子がブリッジ回路接続されてなる磁気抵抗効果素子部1と、そのブリッジ回路の対向する接続点からの2出力同士を比較するコンパレータ21を波形整形処理部2を有し、その比較結果を送出するようにした集積化磁気抵抗効果センサにおいて、出力電圧変動を大きくする。【構成】強磁性体薄膜にNiFeCoを主成分として用い、Niの組成比を70〜90重量%とし、かつFeの組成比を5〜20重量%とし、更にはCoの組成比を5〜25重量%とする。薄膜の材質を変更することにより出力電圧変動が大きくなり、センサの歩留が向上する。

請求項（抜粋）：

強磁性体薄膜で形成され磁界の方向を検出する4個の磁気抵抗効果素子がその隣接する素子同士の最大検出方向が互いに異なるように配置され、かつ該4個の素子がブリッジ回路接続されてなる磁気抵抗アレイと、前記ブリッジ回路の対向する接続点からの2出力同士を比較する比較回路とを含み、前記比較回路の比較結果を送出するようにした集積化磁気抵抗効果センサであって、前記強磁性体薄膜はNiFeCoを主成分とすることを特徴とする集積化磁気抵抗効果センサ。

IPC (3件)：

H01F 10/14 , G01R 33/06 , H01L 43/08

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭58-101483
特開昭60-064484
特開昭61-144893

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