特許
J-GLOBAL ID：200903065661960701
ピンニング層を有する巨大磁気抵抗効果センサー
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-614443
公開番号（公開出願番号）：特表2003-520378
出願日： 1999年09月01日
公開日（公表日）： 2003年07月02日
要約：
【要約】磁気読み取りヘッドに用いられる巨大磁気抵抗効果スタック(10)は、NiFeCr種層(12)と、強磁性体自由層(14)と、非磁性体スペーサー層(16)と強磁性体ピン化層(18)と、XをCrあるいはPdとしたPtMnXピンニング層(20)とを含んでいる。強磁性体自由層(14)は、回転可能な磁気モーメントを有し、NiFeCr種層(12)に隣接して設けられている。強磁性体ピン化層(18)は固定した磁気モーメントを有し、PtMnXピンニング層(20)に隣接して設けられている。非磁性体スペーサー層(16)は、自由層(14)とピン化層(18)との間に設けられている。
請求項（抜粋）：
強磁性体ピン化層を有する巨大磁気抵抗効果スタックと、高い耐ブロック温度と低いアニーリング温度とを有しながら、ピン化層をピン操作するための高いピンニング力交換結合フィールドを提供する手段とを含む、磁気読み取りヘッドに用いられる読み取りセンサー。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01L 43/08
, H01L 43/12
G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AD55
, 2G017AD65
, 5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034CA08
